TML/CVCM

圖解說明

不同暴露與質量變化須採用不同證據

3TML/CVCM
不同暴露與質量變化須採用不同證據標號 1:高壓蒸氣滅菌/環氧乙烷滅菌。標號 2:吸收劑量/劑量率。標號 3:TML/CVCM。濕熱滅菌與環氧乙烷滅菌採用不同的驗證程序。吸收劑量不同於劑量率;真空加熱造成的質量損失,也不同於收集到的可凝結物質。 目前聚焦術語:TML/CVCM;圖示標號 3。 1濕熱環氧乙烷高壓蒸氣滅菌/環氧乙烷滅菌 2質量吸收劑量:能量/質量劑量率:劑量/時間吸收劑量/劑量率 3試樣質量損失收集器沉積物TML/CVCM
  1. 高壓蒸汽釜/ETO 滅菌

    高壓蒸氣滅菌採用濕熱;ETO 採用受控環氧乙烷氣體。應分別驗證各製程及材料或組件的反應。

  2. 吸收劑量/劑量率

    吸收劑量表示單位質量吸收的能量;劑量率表示其隨時間變化的速率。應註明輻射種類及曝露條件。

  3. TML/CVCM本術語

    TML 涉及試樣在指定真空加熱試驗期間的質量損失;CVCM 則涉及在受控收集器上收集到的可凝結物比例。

濕熱及環氧乙烷滅菌採用不同的驗證製程。輻射吸收劑量不同於劑量率;真空加熱的質量損失也不同於收集到的可凝結物。

試驗腔體及量測關係概念圖,未標示製程設定或驗收值。不表示具備滅菌相容性、耐輻射能力或低逸氣資格。